Infineon OptiMOS T2 IPP80N03S4L03AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 80 A 136 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2311
Herst. Teile-Nr.:
IPP80N03S4L03AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

136 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

110 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

15.65mm

Serie

OptiMOS T2

Betriebstemperatur min.

–55 °C