Infineon SIPMOS BSP321PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 980 mA 1,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
892-2361
Herst. Teile-Nr.:
BSP321PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

980 mA

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

900 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

1,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9 nC @ 10 V

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

SIPMOS

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

3.5mm