Infineon StrongIRFET IRL60B216 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 305 A 375 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
896-7358
Herst. Teile-Nr.:
IRL60B216
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

305 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

172 nC bei 10 V

Länge

10.67mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.83mm

Höhe

16.51mm

Serie

StrongIRFET

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C