Infineon OptiMOS 3 IPA032N06N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 84 A 41 W, 3-Pin TO-220FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7181
Herst. Teile-Nr.:
IPA032N06N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

84 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

41 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

124 nC bei 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.85mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3