Infineon SIPMOS BSO613SPVGHUMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 897-7273
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO613SPVGHUMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 897-7273
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO613SPVGHUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 130 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.16V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 130 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.16V | ||