Infineon OptiMOS 3 BSZ340N08NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 23 A 32 W, 8-Pin TSDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7352
Herst. Teile-Nr.:
BSZ340N08NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

TSDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

66 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,8 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3