Infineon OptiMOS 3 IPB020N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 140 A 167 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7377
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N04NGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

140 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

167 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

90 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.57mm

Serie

OptiMOS 3

RoHS Status: Ausgenommen