Infineon OptiMOS 3 IPB049NE7N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 897-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB049NE7N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
20,32 €
(ohne MwSt.)
24,18 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 4,064 € | 20,32 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB049NE7N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.3V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Breite | 9.45mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.8V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.3V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 51 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.31mm | ||
Breite 9.45mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Höhe 4.57mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen