Infineon CoolMOS CFD IPA65R420CFDXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 8,7 A 31,2 W, 3-Pin TO-220

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897-7523
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R420CFDXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,7 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

420 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

31,2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.65mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

31,5 nC @ 10 V

Breite

4.85mm

Höhe

16.15mm

Serie

CoolMOS CFD

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Betriebstemperatur min.

–55 °C