Infineon CoolMOS E6 IPL65R190E6AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 20 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 897-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R190E6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 897-7551
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R190E6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 151 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 8.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 73 nC @ 10 V | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Serie | CoolMOS E6 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 151 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 8.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 73 nC @ 10 V | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Serie CoolMOS E6 | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
RoHS Status: Ausgenommen