Infineon CoolMOS CFD IPP65R110CFDXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 31 A 277,8 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

5,15 €

(ohne MwSt.)

6,128 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +2,575 €5,15 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7585
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R110CFDXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

110 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

277,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

118 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

15.95mm

Höhe

4.57mm

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Serie

CoolMOS CFD

Betriebstemperatur min.

–55 °C