Infineon CoolMOS CFD IPP65R150CFDXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22,4 A 195,3 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7598
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R150CFDXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R150CFDXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 22,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 195,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 15.95mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 86 nC bei 10 V | |
| Länge | 10.36mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 22,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 150 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 195,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 15.95mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 86 nC bei 10 V | ||
Länge 10.36mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.57mm | ||