onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 83 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 900-8826
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C423NLT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
- 900-8826
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- NVMFS5C423NLT1G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 4,5 V, 50 nC @ 10 V | |
| Länge | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 6.1mm | |
| Höhe | 1.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 150 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 23 nC @ 4,5 V, 50 nC @ 10 V | ||
Länge 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 6.1mm | ||
Höhe 1.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
- Ursprungsland:
- MY