Texas Instruments NexFET CSD22204WT P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 5 A 1,7 W, 9-Pin DSBGA
- RS Best.-Nr.:
- 900-9908
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD22204WT
- Marke:
- Texas Instruments
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 900-9908
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD22204WT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V | |
| Gehäusegröße | DSBGA | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 1,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –6 V | |
| Breite | 1.5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18,9 nC @ 4 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 1.5mm | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Serie | NexFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 8 V | ||
Gehäusegröße DSBGA | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 14 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 1,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –6 V | ||
Breite 1.5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18,9 nC @ 4 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 1.5mm | ||
Höhe 0.35mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Serie NexFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||