Texas Instruments NexFET CSD85301Q2T N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5 A 2,3 W, 6-Pin WSON
- RS Best.-Nr.:
- 900-9911
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD85301Q2T
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 900-9911
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD85301Q2T
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 99 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 2,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 2.1mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,2 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Serie | NexFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 99 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 2,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 2.1mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,2 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Serie NexFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 0.75mm | ||