onsemi SuperFET FCD4N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
903-4128
Herst. Teile-Nr.:
FCD4N60TM
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,9 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12,8 nC @ 10 V

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Serie

SuperFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


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Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


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