Vishay E Series SIHP33N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-220AB

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

1,87 €

(ohne MwSt.)

2,23 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
1 +1,87 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
903-4471
Herst. Teile-Nr.:
SIHP33N60E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

33 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

99 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

278 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

100 nC @ 10 V

Länge

10.52mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.7mm

Höhe

15.85mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

E Series

Ursprungsland:
CN