Vishay EF Series SiHF28N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 39 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
903-4500
Herst. Teile-Nr.:
SiHF28N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

28 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

123 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

39 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

80 nC @ 10 V

Länge

10.63mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Serie

EF Series

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

16.12mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN