Vishay IRFD9010PBF P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,1 A, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 903-4702
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9010PBF
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 903-4702
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFD9010PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 3.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.9mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 3.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 3.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.9mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 3.8mm | ||
- Ursprungsland:
- PH