STMicroelectronics STripFET F7 STH170N8F7-2 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 120 A 250 W, 2-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
906-2830
Herst. Teile-Nr.:
STH170N8F7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

H2PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand max.

3,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

120 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

10.57mm

Höhe

4.8mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

STripFET F7

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics


Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics