STMicroelectronics STripFET F6 STS7P4LLF6 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7 A 2,7 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 906-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7P4LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 906-2864
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7P4LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 29 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 2,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 29 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 2,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22 nC @ 4,5 V | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Serie STripFET F6 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal STripFET™ F6, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
