STMicroelectronics MDmesh M2 STU16N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 906-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- STU16N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- 906-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- STU16N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 320 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Höhe | 6.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 320 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Länge 6.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Höhe 6.2mm | ||
- Ursprungsland:
- CN