Infineon OptiMOS 5 IPB026N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 906-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB026N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 2,53 € | 12,65 € |
| 15 - 45 | 2,276 € | 11,38 € |
| 50 - 95 | 2,162 € | 10,81 € |
| 100 - 245 | 1,828 € | 9,14 € |
| 250 + | 1,736 € | 8,68 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-2883
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB026N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 136 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 11.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 136 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.31mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 56 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 11.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 4.57mm | ||