Infineon OptiMOS BSC010NE2LSIATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4277
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 906-4277
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 96 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 6.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 39 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5.35mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.7V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 96 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 6.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 39 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5.35mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.7V | ||
Serie OptiMOS | ||
Höhe 1.1mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen