Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4303P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
13,97 €
(ohne MwSt.)
16,63 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 4.500 Einheit(en) mit Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | 2,794 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-4303P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 250 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC600N25NS3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten thermischen Bereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Handhabung von Drain-to-Source-Spannungen und moderaten Dauerstrom erfordern. Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für eine kompakte Integration auf Board-Ebene geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 250 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 25 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 60 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• 25 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 60 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler auf Stromplatinen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine 25-A-Betätigung erfordern
• Kann für Schaltnetzteile mit engen Abmessungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltkreise, die extremen Temperaturen ausgesetzt sind
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine 25-A-Betätigung erfordern
• Kann für Schaltnetzteile mit engen Abmessungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltkreise, die extremen Temperaturen ausgesetzt sind
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und die Zuverlässigkeit des Geräts zu gewährleisten.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Wahl der Schaltungstopologie aus?
Als N-Kanal-Verbesserungsgerät wird er in der Regel auf der Unterseite von Schaltern platziert oder in synchrone Topologien eingesetzt, um die Effizienz zu verbessern.
Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?
Die Komponente funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit weiten Temperaturen und unterschiedlichen Umgebungsbedingungen.
Welche Überlegungen zur Montage des Gehäuses werden empfohlen?
Das TDSON-Format für die Oberflächenmontage erfordert geeignete Wärmeleitpads und Lötprofile, um die Wärmeableitung und die mechanische Stabilität zu bewältigen.