Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 906-4353P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB010N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 208nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 208nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOSTM5
OptiMOSTM 5 60 V ist für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) optimiert, z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus sind diese Geräte die perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikro-Wechselrichter und Schnellschalt-DC/DC-Wandler.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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