Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 15.2 A 62.5 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4400P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.35 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.35 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
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