Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 906-4407P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT007N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 216nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.58mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 216nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.58mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 300 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT007N06NATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstromverstärkungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und wird in einem oberflächenmontierten HSOF-Gehäuse geliefert, um kompakte Leiterplattenlayouts und ein effizientes Wärmemanagement zu unterstützen.
Merkmale und Vorteile:
• 60-V-Ablasswert ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsdesigns
• 300 A Dauerstromverarbeitung für schwere Schaltvorgänge
• 1 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste in Hochstrompfaden
• 375 W Verlustleistung ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 216 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Gate-Toleranz ±20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Transienten
• 300 A Dauerstromverarbeitung für schwere Schaltvorgänge
• 1 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste in Hochstrompfaden
• 375 W Verlustleistung ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 216 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Gate-Toleranz ±20 V unterstützt robuste Gate-Drive-Transienten
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Stromumwandlung in Server- und Rechenzentren
• Ideal für Motor-Frequenzumrichter-Ausgangsstufen
• Wird für die synchrone Hochstromgleichrichtung in Netzteilen verwendet
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für industrielle Energiemanagement und Antriebe
• Ideal für Motor-Frequenzumrichter-Ausgangsstufen
• Wird für die synchrone Hochstromgleichrichtung in Netzteilen verwendet
• Kann für DC/DC-Wandler in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für industrielle Energiemanagement und Antriebe
Welche thermischen Grenzwerte sollten Entwickler für den Dauerbetrieb berücksichtigen?
Das Gerät ist für eine Verlustleistung von bis zu 375 W ausgelegt
müssen die Entwickler sicherstellen, dass ausreichendes Leiterplattenkupfer, Wärmeleitpasten oder Kühlkörper vorhanden sind, um die Sperrschichttemperatur angesichts der Verlustleistung des Systems innerhalb zulässiger Grenzen zu halten.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Auswahl der Antriebsstromkreise aus?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 216 nC müssen Gate-Treiber ausreichend Spitzenstrom und Schaltgeschwindigkeit liefern, um die gewünschten Übergangszeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste und EMI zu bewältigen.
Was sind die Details zur mechanischen Befestigung und zur Anzahl der Stifte des Geräts?
Er wird in einem oberflächenmontierten HSOF-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, was Verbindungen auf Leiterplattenebene mit niedriger Induktivität für Hochstrompfade ermöglicht.
Welcher Betriebstemperaturbereich kann bei der Systemkonstruktion erwartet werden?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Umgebungen, wenn geeignete thermische Designpraktiken angewendet werden.