Infineon OptiMOS 3 BSZ900N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 15,2 A 62,5 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
906-4444
Herst. Teile-Nr.:
BSZ900N20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

15,2 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

90 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

62,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,7 nC @ 10 V

Länge

3.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.1mm

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen