Infineon CoolMOS C6 IPB60R099C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A 278 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 906-4479
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R099C6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 906-4479
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R099C6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 38 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 278 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 119 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.57mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 38 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 90 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 278 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 119 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.31mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.57mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 9.45mm | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend