Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 83 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 906-4491P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD053N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 45 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD053N06NATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Stromversorgungsbaugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich für anspruchsvolle thermische Umgebungen und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten erforderlich sind. Das Gerät unterstützt Standard-Antriebsspannungen und bietet eine kontrollierte Vorwärtsleitung, die für moderne Leistungsumwandlungs- und Motorantriebstopologien geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 8 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 45 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstrom-Designs
• Die typische Gate-Ladung von 27 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 20-V-Gate-Toleranz für gängige Gate-Drive-Schemata
• 45 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstrom-Designs
• Die typische Gate-Ladung von 27 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 83 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 20-V-Gate-Toleranz für gängige Gate-Drive-Schemata
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Dreiphasen-Motor-Wechselrichter-Halbbrücken
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen in Hochstrompfaden
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in industriellen Automatisierungseinheiten
• Ideal für Dreiphasen-Motor-Wechselrichter-Halbbrücken
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen in Hochstrompfaden
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in industriellen Automatisierungseinheiten
Welche Gate-Drive-Bedenken wirken sich auf die Schaltleistung aus?
Die Ansteuerung des Gates in Richtung der 20-V-Grenze reduziert den Einschaltwiderstand, erhöht aber die Schaltverluste
Die Auswahl eines Treibers, der Spannung und Anstiegsgeschwindigkeit ausgleicht, optimiert die Effizienz und das elektromagnetische Verhalten.
Wie sollten die thermischen Bedingungen für einen kontinuierlichen Betrieb verwaltet werden?
Mit einer Verlustleistung von 83 W müssen die Kühlkörper- und Leiterplatten-Kupferfläche so dimensioniert sein, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb des Betriebsbereichs von -55 °C bis 175 °C des Geräts gehalten werden, um einen zuverlässigen Langzeitbetrieb zu gewährleisten.
Welche mechanischen Beschränkungen wirken sich auf das Leiterplatten-Layout dieses Geräts aus?
Das oberflächenmontierbare TO‐252-Gehäuse erfordert Aufmerksamkeit für die Pad-Geometrie und die thermischen Leitungen, um die Wärme vom lötbaren Gehäusesockel in die thermischen Ebenen der Platine zu übertragen.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitungsberechnung aus?
Bei der Berechnung von Spannungsabfall und Leistungsverlust in Leitungsintervallen, insbesondere unter Hochstrombedingungen, sollte eine typische Durchlassspannung von 1,2 V berücksichtigt werden.