Infineon HEXFET IRF3205LPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 907-5066
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205LPBF
- Marke:
- Infineon
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- 907-5066
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205LPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 146 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 110 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.83mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 146 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Serie HEXFET | ||