Infineon HEXFET AUIRFP4409 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 38 A 341 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 907-5069
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4409
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 907-5069
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4409
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 38 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 300 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 69 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 341 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 21.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Höhe | 16.13mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 38 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 300 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 69 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 341 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 21.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 83 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie HEXFET | ||
Höhe 16.13mm | ||