Infineon HEXFET IRFS7530PBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 295 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 907-5126
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7530PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS7530PBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 295 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon AUIRLS3036 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 195 A, 270 A 380 W, 3-Pin D2PAK

RS Best.-Nr.: 784-9240

Preis pro Stück

2,40 €

(ohne MwSt.)

2,86 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:: 907-5126
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7530PBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	295 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	274 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	4.69mm
Länge	10.54mm
Transistor-Werkstoff	Si
Serie	HEXFET
Höhe	9.65mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C