Infineon HEXFET IRFHS9351TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 1,4 W, 6-Pin DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 907-5182
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS9351TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Zwischensumme (1 Packung mit 40 Stück)*
22,16 €
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 40 - 40 | 0,554 € | 22,16 € |
| 80 - 360 | 0,427 € | 17,08 € |
| 400 - 760 | 0,335 € | 13,40 € |
| 800 - 1960 | 0,301 € | 12,04 € |
| 2000 + | 0,268 € | 10,72 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 907-5182
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS9351TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 290 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 1,4 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 2.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,7 nC @ 15 V | |
| Länge | 2.1mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 290 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 1,4 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 2.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,7 nC @ 15 V | ||
Länge 2.1mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie HEXFET | ||