Infineon HEXFET IRFH5406TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A 46 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

10,61 €

(ohne MwSt.)

12,63 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +1,061 €10,61 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
907-5189
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5406TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

14,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

46 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Breite

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.85mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Serie

HEXFET