Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 907-5205P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7749L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 15 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 200nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 7.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.49mm | |
| Länge | 9.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 15 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 7.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.49mm | ||
Länge 9.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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