Infineon OptiMOS 2 BSC123N10LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 71 A 114 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
911-0783
Herst. Teile-Nr.:
BSC123N10LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

71 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

16,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

114 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.1mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

51 nC @ 10 V

Länge

5.35mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

OptiMOS 2

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm