Infineon OptiMOS 3 IPP600N25N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 25 A 136 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

132,35 €

(ohne MwSt.)

157,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 2002,647 €132,35 €
250 - 9502,112 €105,60 €
1000 - 24501,721 €86,05 €
2500 +1,679 €83,95 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
911-0866
Herst. Teile-Nr.:
IPP600N25N3GXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

60 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

136 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.36mm

Breite

4.57mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Höhe

15.95mm

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MY