Infineon OptiMOS 3 BSC027N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 2,5 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
911-4855
Herst. Teile-Nr.:
BSC027N04LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

64 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.35mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3

Höhe

1.1mm

Ursprungsland:
MY