Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 60 A 431 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 911-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R045CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IPW60R045CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 431 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 16.13mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 60 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 45 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 431 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 5.21mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 150 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 16.13mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 21.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- DE
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.