Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 60 A 431 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 911-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R045CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
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425,61 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 14,187 € | 425,61 € |
| 60 + | 13,478 € | 404,34 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 911-4909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R045CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 431 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 60 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 45 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 431 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 5.21mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 150 nC @ 10 V | ||
Höhe 21.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- DE
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.