Infineon SIPMOS BSO615NGHUMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 911-4965
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO615NGHUMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 911-4965
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO615NGHUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 150 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- DE