Infineon CoolMOS CP IPB60R099CPAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 31 A 255 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

3.229,00 €

(ohne MwSt.)

3.843,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +3,229 €3.229,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
911-4981
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R099CPAATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

105 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

20V

Gate-Schwellenspannung min.

20V

Verlustleistung max.

255 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.31mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Serie

CoolMOS CP

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
DE