Infineon OptiMOS T IPD90N04S304ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
911-5003
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N04S304ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

136 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

OptiMOS T

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MY