Infineon CoolMOS CP IPP60R099CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
911-5016
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R099CPXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

99 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

255 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.36mm

Breite

4.57mm

Höhe

9.45mm

Serie

CoolMOS CP

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MY