Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 40 V Erweiterung / 162 A, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 913-3815
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404LPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF1404LPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 162A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 162A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 3,8W maximale Verlustleistung - IRF1404LPBF
Dieser MOSFET bietet eine effiziente Lösung für verschiedene elektronische Anwendungen, insbesondere dort, wo eine hohe Leistung erforderlich ist. Seine fortschrittlichen Verarbeitungstechniken machen ihn für Automatisierungs- und elektronische Steuerungssysteme geeignet und tragen zu modernen Stromverwaltungsgeräten bei.
Merkmale und Vorteile
• Liefert einen kontinuierlichen Drain-Strom von 162 A für robuste Leistung
• Widersteht einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V für einen sicheren Betrieb
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 4 mΩ zur Verbesserung der Energieeffizienz
• Verwendet die Enhancement-Mode-Technologie für verbesserte Schaltleistung
• Unterstützt die Durchsteckmontage und erleichtert die Integration in bestehende Designs
Anwendungen
• Einsatz in Hochstromkreisen zur Leistungsregelung
• Geeignet für Stromversorgungskonzepte in der industriellen Automatisierung
• Angewandt in Antrieben und Steuerungssystemen für Elektromotoren
• Ideal für DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?
Er kann unter bestimmten Bedingungen eine Verlustleistung von bis zu 3,8 W bewältigen, was eine optimale Leistung ohne Überhitzung während des Betriebs gewährleistet.
Ist sie mit oberflächenmontierten Designs kompatibel?
Obwohl er in erster Linie im I2PAK-Gehäuse für Durchgangslochanwendungen eingesetzt wird, kann er auch in andere industrielle Designs integriert werden, die robuste Komponenten erfordern.
Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?
Beachten Sie die korrekten Montagetechniken für die Durchsteckmontage, um eine sichere Lötung zu gewährleisten und thermische und mechanische Ausfälle während des Betriebs zu vermeiden.
Was sind die Folgen einer Überschreitung der festgelegten Grenzwerte?
Ein Überschreiten der Grenzwerte für den kontinuierlichen Drain-Strom oder die Spannung kann zu einer thermischen Überlastung oder dauerhaften Beschädigung des Geräts führen und die Zuverlässigkeit des gesamten Systems beeinträchtigen.
Kann dieses Bauteil nach dem Einbau wiederverwendet werden?
Eine erneute Installation ist möglich, wenn sorgfältige Demontagetechniken angewandt werden, obwohl wiederholte Temperaturwechsel die langfristige Zuverlässigkeit beeinträchtigen können.
