Infineon HEXFET IRF1404LPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

RS Best.-Nr.:: 913-3815
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404LPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF1404LPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

Voraussichtlich ab 08.10.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

2,053 €

(ohne MwSt.)

2,443 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	2,053 €	102,65 €
100 - 200	1,951 €	97,55 €
250 +	1,827 €	91,35 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 913-3815
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404LPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	162 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	I2PAK (TO-262)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	160 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	10.54mm

Infineon HEXFET IRF1404LPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon

Verwandte Produkte