Infineon OptiMOS P BSZ180P03NS3EGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39 A 40 W, 8-Pin PG-TDSON

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RS Best.-Nr.:
914-0176
Herst. Teile-Nr.:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

39 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PG-TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

30 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.9V

Gate-Schwellenspannung min.

3.1V

Verlustleistung max.

40 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Höhe

1.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS P

RoHS Status: Ausgenommen