Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 31 W, 3-Pin PG-TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
914-0188
Herst. Teile-Nr.:
IPD78CN10NGBUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

13 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PG-TO-252

Serie

OptiMOS 2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

80 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

31 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8 nC @ 10 V

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen