Texas Instruments NexFET CSD16570Q5BT N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 456 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP
- RS Best.-Nr.:
- 914-2932
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD16570Q5BT
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 914-2932
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD16570Q5BT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 456 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | VSON-CLIP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 820 μΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 195 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 192 nC bei 10 V, 95 nC bei 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Serie | NexFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 456 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße VSON-CLIP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 820 μΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 195 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 192 nC bei 10 V, 95 nC bei 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
Serie NexFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1mm | ||