Infineon HEXFET IRF8915TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
915-4973
Herst. Teile-Nr.:
IRF8915TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,9 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

27 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1.7V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,9 nC @ 4,5 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4mm

Höhe

1.5mm

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HEXFET